Pó de grão de carboneto de silício

Existem dois métodos principais para produzircarboneto de silício: deposição química de vapor e deposição física de vapor. A deposição química de vapor é o processo de utilização de hidrocarbonetos e silício para reagir em altas temperaturas para gerar carboneto de silício depositado em um substrato, enquanto a deposição física de vapor utiliza métodos físicos para evaporar carbono e silício e condensá-los em um substrato para formar carboneto de silício.
A deposição química de vapor apresenta alta eficiência de produção e baixo custo, sendo atualmente o principal método de produção de carboneto de silício. A deposição física de vapor apresenta altas barreiras técnicas e custos e é usada principalmente para a preparação de carboneto de silício de alta qualidade para fins especiais.

Parâmetros comuns de carboneto de silício

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